型号:NE3503M04-T2-A | 类别:RF FET | 制造商:CEL |
封装:SC-82A,SOT-343 | 描述:AMP HJ-FET 12GHZ SOT-343 |
详细参数
类别 | RF FET |
---|---|
描述 | AMP HJ-FET 12GHZ SOT-343 |
系列 | - |
制造商 | CEL |
晶体管类型 | HFET |
频率 | 12GHz |
增益 | 12dB |
电压_测试 | 2V |
额定电流 | 70mA |
噪音数据 | 0.45dB |
电流_测试 | 10mA |
功率_输出 | - |
电压_额定 | 4V |
封装/外壳 | SC-82A,SOT-343 |
供应商设备封装 | SOT-343 |
包装 | 带卷 (TR) |
供应商
深圳市恒天华科技有限公司 | 邓0755-82560927 |
深圳市芯脉实业有限公司 | 周19166203057 |
深圳市芯脉实业有限公司 | 骆0755-84507209 |
北京元坤国际科技有限公司 | 何小姐086-010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791 |
深圳市品优时代科技有限公司 | 唐0755-23612326 |
深圳市银芯龙科技有限公司 | 欧阳13510131896 |
深圳市向鸿伟业电子有限公司 | 李先生86-0755-82561519 |
深圳市富乐亚科技有限公司 | 郑小姐0755-18503085056 |
深圳市品惠科技有限公司 | 李先生0755-23996734 |
深圳市春涛电子有限公司 | 王云0755-82563615 82563213 |
NE3503M04-T2-A相关型号
- MT48LC8M32B2TG-7 TR
存储器
Micron Technology Inc
86-TFSOP(0.400",10.16mm 宽)
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- NOSA156M004R1500
氧化铌
AVX Corporation
1206(3216 公制)
CAP NIOB OXIDE 15UF 4V 1206
- NLCV32T-R10M-PFR
固定式
TDK Corporation
1210(3225 公制)
INDUCTOR .10UH 2.85A 20% 1210
- NLAS8252MUTAG
接口 - 模拟开关,多路复用器,多路分解器
ON Semiconductor
12-UFQFN
IC SWITCH DP3T 12UQFN
- NE20
线夹和夹具
Richco Plastic Co
16-SSOP(0.154",3.90mm 宽)
CLAMP VINYL-DIPPED 1-3/64 X 1/2"
- HM2P87PDC161N9
背板 - 硬公制,标准
FCI
CONN HEADER 176POS TYPE D VERT
- NE01-CCPC1-E
配件
Omron Electronics Inc-IA Div
24-DIP 模块(600 mil,8 引线)
NE1S V3 SOFTWARE 1 LICENSE
- MFR-25FRF-47K5
通孔电阻器
Yageo
轴向
RES 47.5KOHM 1/4W 1% METLFLM T/R
- MT48LC8M32LFB5-10 IT TR
存储器
Micron Technology Inc
90-VFBGA
IC SDRAM 256MBIT 100MHZ 90VFBGA
- NOSA156M004R1500
氧化铌
AVX Corporation
1206(3216 公制)
CAP NIOB OXIDE 15UF 4V 1206
- NLCV32T-R22M-PFR
固定式
TDK Corporation
1210(3225 公制)
INDUCTOR .22UH 2.40A 20% 1210
- NLAS9099MN1R2G
接口 - 模拟开关,多路复用器,多路分解器
ON Semiconductor
16-VFQFN 裸露焊盘
IC SWITCH 16-QFN
- NE350184C
RF FET
CEL
微型-X 陶瓷 84C
HJ-FET 20GHZ MICRO-X
- NE01-CCPC1-EL10
配件
Omron Electronics Inc-IA Div
24-DIP 模块(600 mil,8 引线)
NE1S V3 SOFTWARE 10 LICENSE
- HM2P87PKA1M1GF
背板 - 硬公制,标准
FCI
CONN HEADER 176POS TYPE D VERT
- MFR-25FRF-4K42
通孔电阻器
Yageo
轴向
RES 4.42KOHM 1/4W 1% METLFLM T/R
- MT48LC8M8A2TG-7E:G TR
存储器
Micron Technology Inc
54-TSOP(0.400",10.16mm 宽)
IC SDRAM 64MBIT 133MHZ 54TSOP
- NOSA226M002R0900
氧化铌
AVX Corporation
1206(3216 公制)
CAP NIOB OXIDE 22UF 2.5V 1206
- NLCV32T-R47M-PFR
固定式
TDK Corporation
1210(3225 公制)
INDUCTOR .47UH 2.00A 20% 1210
- NLAST4051DR2
接口 - 模拟开关,多路复用器,多路分解器
ON Semiconductor
16-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
IC MUX/DEMUX 1X8 16SOIC
- HM2P88PD8110N9
背板 - 硬公制,标准
FCI
CONN HEADER 200POS TYPE E VERT
- NE01-CCPC1-EL10
配件
Omron Electronics Inc-IA Div
24-DIP 模块(600 mil,8 引线)
NE1S V3 SOFTWARE 10 LICENSE
- MFR-25FRF-536R
通孔电阻器
Yageo
轴向
RES 536 OHM 1/4W 1% METLFLM T/R
- MT48V4M32LFB5-8 XT:G
存储器
Micron Technology Inc
90-VFBGA
IC SDRAM 128MBIT 125MHZ 90VFBGA
- NLCV32T-R47M-PFR
固定式
TDK Corporation
1210(3225 公制)
INDUCTOR .47UH 2.00A 20% 1210
- NOSC107M004R0150
氧化铌
AVX Corporation
2312(6032 公制)
CAP NIOB OXIDE 100UF 4V 2312
- NE3508M04-T2-A
RF FET
CEL
SOT-343F
AMP HJ-FET 2GHZ 4-TSMM
- NLAST4051DR2
接口 - 模拟开关,多路复用器,多路分解器
ON Semiconductor
16-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
IC MUX/DEMUX 1X8 16SOIC
- NE01-CCPC1-EL30
配件
Omron Electronics Inc-IA Div
24-DIP 模块(600 mil,8 引线)
NE1S V3 SOFTWARE 30 LICENSE
- MT48V4M32LFF5-10:G
存储器
Micron Technology Inc
90-VFBGA
IC SDRAM 128MBIT 100MHZ 90VFBGA
- MFR-25FRF-53K6
通孔电阻器
Yageo
轴向
RES 53.6KOHM 1/4W 1% METLFLM T/R
- HM2P88PD81K1N9LF
背板 - 硬公制,标准
FCI
CONN HEADER 200POS TYPE E VERT
- NOSC157M002R0065
氧化铌
AVX Corporation
2312(6032 公制)
CAP NIOB OXIDE 150UF 2.5V 2312
- NLFC201614T-2R2M-PF
固定式
TDK Corporation
0806(2016 公制)
INDUCTOR SHIELD 2.2UH 20% 0806
- NLAST4051DTR2
接口 - 模拟开关,多路复用器,多路分解器
ON Semiconductor
16-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
IC MUX/DEMUX 1X8 16TSSOP
- NE3509M04-T2-A
RF FET
CEL
SOT-343F
AMP HJ-FET 2GHZ SOT-343
- MT48V8M16LFF4-8 IT:G TR
存储器
Micron Technology Inc
54-VFBGA
IC SDRAM 128MBIT 125MHZ 54VFBGA
- MFR-25FRF-549K
通孔电阻器
Yageo
轴向
RES 549KOHM 1/4W 1% METLFLM T/R
- NE01-CCPC1-ELXX
配件
Omron Electronics Inc-IA Div
24-DIP 模块(600 mil,8 引线)
NE1S V3 SOFTWARE SITE LICENSE
- HM2P88PK8111GFLF
背板 - 硬公制,标准
FCI
CONN HEADER 200POS TYPE E VERT